CVD (химическое осаждение в газовой фазе) 

 Химическое осаждение в газовой фазе (CVD) - метод, при котором химический газ или пар реагируют на поверхность матрицы для синтеза покрытий или наноматериалов, является наиболее широко используемой технологией в полупроводниковой промышленности для осаждения различных материалов, включая широкий спектр изоляционных материалов, большинство металлических материалов и материалов из сплавов золота.  Теоретически это очень просто: два или более газообразных сырья импортируются в реакционную камеру, а затем они вступают в химическую реакцию друг с другом, образуя новый материал, который оседает на поверхности чипа.  Хорошим примером является осажденная нитридная кремниевая пленка (Si3N4), которая образуется в результате реакции силана и азота. 

Химическое осаждение в газовой фазе - это традиционная технология подготовки пленки, которая основана на использовании газообразных первичных реакций, которые разлагают некоторые компоненты газообразных предшественников посредством атомных и межмолекулярных химических реакций и образуют пленку на матрице. Химическое осаждение в газовой фазе включает химическое осаждение в газовой фазе при атмосферном давлении, плазменное вспомогательное химическое осаждение, лазерное вспомогательное химическое осаждение, осаждение металлических органических соединений и т.д.