Введение в процесс распыления распыления вакуумной лакировочной машины

Процесс распыления распыления в вакуумной машине для нанесения покрытий в основном используется в двух аспектах: травление распылением и осаждение тонкой пленки. Во время травления распылением материал, который нужно травить, помещается в целевое положение и бомбардируется ионами аргона для травления. Скорость травления зависит от таких факторов, как коэффициент распыления материала мишени, плотность ионного тока и степень вакуума в распылительной камере. При распылительном травлении из распылительной камеры должно быть удалено как можно больше распыленных атомов мишени.

          Обычный метод заключается во введении реактивного газа для реакции с распыленными атомами мишени с образованием летучего газа, который выпускается из камеры распыления через вакуумную систему. При осаждении тонких пленок источник распыления размещается на мишени, а распыление происходит после его бомбардировки ионами аргона. Если материал мишени простой, то на подложке будет образовываться простая пленка целевого вещества, если сознательно ввести реактивный газ в распылительную камеру, то он химически прореагирует с распыляемыми атомами мишени и осядет на подложке. пленка целевого материала может быть сформирована. Обычно тонкие пленки соединений или сплавов получают путем прямого распыления мишеней из соединений или сплавов. При распылении распыленные атомы распыляются после обмена энергией с высокоэнергетическими ионами с тысячами электрон-вольт, и их энергия высока, часто на 1-2 порядка выше, чем у испаренных атомов.Сцепление пленки с подложкой лучше, чем испарение. Если подложка правильно смещена во время напыления, можно принять во внимание очистку подложки, что также полезно для ступенчатого покрытия генерируемой пленки.

         Кроме того, метод напыления можно использовать для получения пленок материалов с высокой температурой плавления и низким давлением паров, которые нельзя получить путем испарения, что удобно для получения тонких пленок соединений или сплавов. Существует два основных метода распыления: ионно-лучевое распыление и плазменное распыление. В устройстве ионно-лучевого распыления направленный ионный пучок с определенной энергией, обеспечиваемой ионной пушкой, бомбардирует мишень, вызывая распыление. Ионную пушку также можно использовать для очистки подложки и распыления мишени. Чтобы избежать накопления заряда на изолирующих твердых поверхностях, можно использовать энергетически нейтральное напыление пучка. Нейтральный пучок является результатом нейтрализации энергичных положительных ионов электронами перед выходом из ионной пушки. Ионно-лучевое распыление широко используется в приборах для анализа поверхности для очистки или зачистки образцов. Из-за ограниченного размера пятна луча по-прежнему сложно быстро наносить тонкие пленки на подложки большой площади.

         Плазменное напыление также называют напылением тлеющим разрядом. Положительные ионы, необходимые для распыления, поступают из плазмы тлеющего разряда. Поверхность мишени должна быть под высоким отрицательным потенциалом.После ускорения этим электрическим полем положительные ионы приобретают кинетическую энергию для бомбардировки мишени, вызывая распыление, и в то же время бомбардировка подложки электронами неизбежна. .

         Процесс магнетронного напыления вакуумной машины для нанесения покрытий также можно разделить на несколько типов, в основном включая двухступенчатое напыление, трехступенчатое или четырехступенчатое напыление, магнетронное напыление, целевое напыление, радиочастотное напыление, напыление смещения, несимметричное радиопеременного тока. частотное распыление, ионно-лучевое распыление и реактивное распыление и т. д., выбор метода распыления зависит от обрабатываемой детали, материала заготовки и слоя покрытия.